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삼성전자, 세계 최대규모 평택 2라인 가동▲세계 최대 규모의 삼성전자 반도체 공장 [광교저널 경기/안준희 기자] 삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다. 이 라인에서는 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다. D램, 낸드, 파운드리까지 생산하는 세계 최대 반도체 생산 라인 삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대규모의 반도체 생산라인이다. 평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들어져 4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적인 역할을 할 예정이다. 삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며, 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다. 이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로 삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다. 이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4천 명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다. 지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다. 삼성전자는 평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다. ▲1z나노 기반 16GB LPDDR5 모바일D램_1 차세대 스마트폰 시장 선점할 최첨단 EUV D램 본격 양산 평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐으며, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다. 삼성전자는 금년 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다. 이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.※ 동작속도 : 64핀(x64, JEDEC 규격)으로 구성되는 패키지 기준 최대 51.2GB/s 또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다. 삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다. 또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다. 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.
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삼성전자, 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인 투자▲평택캠퍼스 P2라인 전경 [광교저널 경기/유지원 기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다. 삼성전자에 따르면 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다. 이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서다. 특히 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다. 지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화할 예정이다.
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화성시, ‘겨울愛 아삭아삭 사랑나눔 김장축제’▲ 겨울애 아삭아삭 사랑나눔 김장축제 [광교저널 경기.화성/유현희 기자] 겨울철을 대비해 화성시 관내·외 소외계층 및 장애인협회 등에 나눠 줄 ‘겨울愛 아삭아삭 사랑나눔 김장축제’가 10일 화성시 자원봉사센터 주차장에서 진행됐다. 이번 김장축제는 삼성전자 DS반도체에서 후원했으며, 채인석 화성시장, 박종선 시의회의장, 자원봉사센터 김영율 이사장, 삼성전자 DS메모리사업부 전영현 사장 등과 삼성전자 DS사회봉사단(기흥.화성)과 화성시자원봉사자 등 500여명은 이른 아침부터 김장김치 35톤(10kg 3,500박스)을 담갔다. 봉사자들의 손과 손으로 전달돼 온정을 듬뿍 담은 김장김치는 화성시 관내 소외계층(저소득가정, 장애인, 독거노인, 무료급식소등)과 각 기관으로 전달된다. 한편, 지난 9일에는 양감면 복지회관에서 삼성전자와 자매결연을 맺은 양감면 이장단협의회와 주민들이 김장축제에 사용될 배추 4천여포기를 절이는 봉사활동을 벌였다.
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화성시 비봉면, ‘제9회 비봉땅 갈대숲축제’ 성료화성시 비봉인공습지(비봉면 유포리)에서 지난 4일 개최된 ‘제9회 비봉땅 갈대숲 축제’가 1천여명의 관광객이 참여한 가운데 성황리에 끝났다. ‘비봉땅 갈대숲 축제’는 비봉면주민자치위원회가 주최하고 비봉면와 비봉면기관사회단체가 주관해 프로그램 기획부터 진행까지 모두 비봉면주민이 직접 참여한 행사로 매년 관람객이 증가해 화성시 대표 지역자생특화축제로 자리매김하고 있다. 축제는 시화호의 드넓은 갈대숲을 배경으로 습지 마차투어, 자전거 투어, 뗏목타기 등의 투어마당, 짚풀 및 갈대공예, 시화호 철새관찰, 허수아비만들기, 봉숭아물들이기 등의 체험마당, 민속 전통공예품, 시화호 철새사진 전시 등의 전시마당, 축제 참여자에게 무료로 제공하는 비빔밥 등 다양한 먹을거리를 즐길 수 있는 먹을거리 마당으로 꾸며졌다. 특히 갈대숲을 투어하며 습지의 경관을 감상하는 ‘마차투어’와 올 해 첫 선을 보인 ‘습지뗏목타기 체험’가족단위의 관람객들에게 관심을 끌었으며, 도시에서는 쉽게 접할 수 없는 봉숭아물들이기는 시화호 철새 관찰체험 등과 함께 아이들에게 큰 인기를 얻었다. 한편 이번 행사에는 화성삼성반도체(메모리사업부)직원들이 원활한 행사진행을 위해 행사장 제초작업봉사를 실시하고 가족들과 함께 행사에도 참여해 눈길을 끌었다. 홍종대 비봉면 주민자치위원장은 “비봉인공습지는 수많은 철새들의 서식지와 번식지로 다양한 생태환경의 보고인 자연친화적 공원으로, 우리가 소중히 보존해야 할 재산”이라며, “비봉땅 갈대숲축제를 통해 비봉인공습지의 아름다움과 가치를 외부에 널리 알리는 계기가 됐으면 한다”고 밝혔다.
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삼성전자, 세계 최초 '20나노 4기가비트 D램' 양산▲ 20나노 4Gb D램 삼성전자가 이 달부터 세계 최초로 차세대 '20나노(1나노 : 10억분의 1미터) 4기가비트(Giga bit) DDR3(Double Data Rate 3) D램'을 본격 양산하기 시작했다. 20나노 D램은 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다. 삼성전자는 독자기술을 통해 기존 설비만으로도 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 돌파하고 최소형 4기가비트 D램을 본격 양산함으로써 메모리 기술의 새로운 지평을 열었다. ▲ 20나노 4Gb D램 모듈 삼성전자가 이번에 양산에 성공한 20나노 D램에 삼성전자의 신개념 '개량형 이중 포토 노광 기술', '초미세 유전막 형성 기술'이 동시에 적용됐다. 낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성되어 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 20나노 공정 미세화가 더욱 어려웠다. 삼성전자는 이러한 D램 공정한계를 독자기술인 '개량형 이중 포토 노광 기술'을 통해 극복해 기존 포토장비로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련한 것이다. 또한 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다. 20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 최고 수준의 '초절전 그린 IT 솔루션'을 제공한다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 "저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것"이라며, "향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 글로벌 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것"이라고 밝혔다. 앞으로도 삼성전자는 10나노급 차세대 D램 제품을 선행 개발함 으로써 반도체 기술의 한계를 극복하고 메모리 시장의 성장세를 지속적으로 주도할 계획이다. 한편 시장 조사기관 가트너에 따르면 세계 D램 메모리 시장은 올해 379억불로 작년 356억불 대비 20억불 이상 성장할 것으로 전망된다.